ChangXin Memory Technologies (CXMT) melaporkan laba bersih 54,4 miliar yuan atau setara 8,16 miliar dolar AS untuk kuartal ketiga 2026.
Ini menjadi laporan keuangan kuartalan pertama CXMT sejak melantai di bursa pada Juli lalu.
Pendapatan perusahaan mencapai 118,71 miliar yuan atau 17,81 miliar dolar AS, melonjak 613,2 persen dibandingkan periode yang sama tahun sebelumnya.
Pergeseran Pasar Memori Dorong Kinerja
Lonjakan kinerja CXMT tidak lepas dari perubahan lanskap pasar memori global.
Pemasok besar seperti Samsung, SK Hynix, dan Micron mengalihkan produksi ke high-bandwidth memory (HBM) untuk prosesor AI, sehingga pasokan DRAM standar mengetat.
CXMT menyerap permintaan yang tersisa dan mendorong margin brutonya mencapai 89,53 persen.
Perusahaan kini bersiap masuk ke pasar HBM. Sumber rantai pasok menyebut CXMT akan memulai produksi terbatas chip HBM3E dalam dua bulan ke depan.
Namun, CXMT masih menghadapi kendala manufaktur karena yield HBM3E diperkirakan baru 20 hingga 30 persen, jauh di bawah SK Hynix yang mencapai 70 persen.
Untuk menutup celah teknis itu, CXMT menggelontorkan 11,07 miliar yuan atau 1,66 miliar dolar AS untuk riset dan pengembangan pada sembilan bulan pertama tahun ini.
Perusahaan juga baru memvalidasi teknologi DRAM generasi keenam, langkah yang diperlukan sebelum produksi komersial.
Secara finansial, CXMT memegang kas 285,16 miliar yuan atau 42,77 miliar dolar AS untuk membiayai pabrik baru di Beijing, Shanghai, dan Hefei.
Fasilitas tersebut diproyeksikan menggandakan kapasitas perusahaan menjadi 600.000 wafer 12 inci per bulan.
Selain HBM3E, CXMT bersiap memasuki pasar memori flash NAND yang akan memperluas lini produknya di sektor perangkat keras memori.
