Samsung resmi mulai mengirimkan sampel memori HBM4E kepada pelanggan. Produk ini merupakan versi peningkatan dari HBM4 yang sebelumnya sudah dipasok sejak Februari lalu.
HBM4E hadir dengan konfigurasi 12 lapisan yang menghasilkan kapasitas 48GB per tumpukan. Angka ini naik 33% dibandingkan HBM4 yang hanya 36GB.
>>> Redmi Headphones Neo Resmi Meluncur Global, Tawarkan Driver 40mm dan ANC 42dB
Selain kapasitas, kecepatan juga meningkat. Kecepatan per pin mencapai 14Gbps, menghasilkan total bandwidth 3,6 terabyte per detik per tumpukan.
Sebagai perbandingan, HBM4 memiliki kecepatan 11,7Gbps per pin dengan bandwidth yang sama.
Efisiensi dan Performa Lebih Baik
Memori HBM4E menggabungkan die memori generasi ke-6 "1c" (kelas 10nm) dengan die logika basis 4nm. Samsung mendesain ulang arsitektur untuk meningkatkan efisiensi energi hingga 16%.
Desain baru juga mengurangi resistansi termal setidaknya 14%, sehingga memori lebih mudah didinginkan. Samsung menyebutkan bahwa kapasitas produksi HBM4 terus bertambah dan HBM4E akan semakin mempercepat sistem AI.
>>> Vivo Rilis Headphone Over-Ear Pertama dengan Baterai 75 Jam, Harga Rp700 Ribuan
Perusahaan juga mengembangkan varian 32GB (8 lapisan) dan 64GB (16 lapisan) untuk memberikan lebih banyak opsi bagi pelanggan.
Kecepatan 14Gbps saat ini masih bisa ditingkatkan hingga 16Gbps di masa depan.
“Setelah sukses memproduksi massal HBM4, Samsung kembali menunjukkan keunggulan teknologi dengan HBM4E.
>>> Samsung Galaxy A57 vs Galaxy S25 FE: Perbandingan Lengkap
Melalui kemampuan manufaktur canggih dan investasi infrastruktur, kami akan terus mendorong pertumbuhan pasar memori AI global,” ujar Sang Joon Hwang, Wakil Presiden Eksekutif dan Kepala Pengembangan Memori Samsung Electronics.
