SK hynix mengumumkan telah mulai mengirimkan sampel memori HBM4E (High Bandwidth Memory 4E) kepada para pelanggannya.
Memori ini dirancang untuk kebutuhan perangkat keras kecerdasan buatan (AI) yang membutuhkan kecepatan tinggi.
Spesifikasi dan Performa HBM4E
HBM4E menawarkan bandwidth 16Gbps per pin, lebih cepat dibandingkan HBM4 sebelumnya yang hanya 10Gbps per pin.
Samsung sebelumnya juga telah mengirimkan sampel HBM4E dengan klaim 14Gbps per pin sebulan lalu.
Desain yang dikirim SK hynix saat ini menggunakan 12 die yang ditumpuk, menghasilkan kapasitas 48GB per tumpukan.
Sebagian besar desain akselerator AI akan menggunakan beberapa tumpukan memori ini.
Efisiensi Daya dan Pendinginan
SK hynix mengklaim HBM4E 20% lebih efisien dalam penggunaan daya dibandingkan HBM4.
Memori ini dibangun menggunakan teknologi MR-MUF (Mass Reflow Molded Underfill) yang menggunakan cairan pelindung di antara die silikon.
Hasilnya, resistansi panas 17% lebih rendah dibandingkan desain lama, sehingga membantu pendinginan.
SK hynix menyatakan pengiriman sampel 12-tumpukan HBM4E tepat waktu berkat keahlian pengembangan dan produksi HBM yang dimiliki.
Perusahaan akan bekerja sama dengan mitra untuk produksi massal tepat waktu.
