Perusahaan semikonduktor asal Korea Selatan, SK Hynix, mengumumkan rencana untuk memulai produksi massal chip HBM4E generasi terbaru di fasilitasnya di Indiana, Amerika Serikat, pada kuartal ketiga 2029.
Kabar ini disampaikan langsung oleh CEO SK Hynix, Kwak Noh-Jung, pada Kamis (28/8/2026) di West Lafayette, Indiana.
>>> Sinyal Hilang di Jakarta Saat Demo DPR, Warganet Curiga
Kwak juga menyatakan bahwa perusahaan memperkirakan kekurangan chip memori saat ini akan bertahan hingga akhir tahun 2030.
Proyek senilai lebih dari 4 miliar dolar AS ini merupakan ekspansi besar-besaran operasi SK Hynix di Amerika Serikat.
Langkah ini diambil seiring melonjaknya investasi di bidang kecerdasan buatan (AI) yang mendorong permintaan akan memori berbandwidth tinggi (HBM).
Dengan hadirnya fasilitas ini, SK Hynix ingin mendekatkan produksi ke pelanggan utamanya seperti Nvidia, Microsoft, dan Google milik Alphabet.
Ekspansi di Indiana
Fasilitas yang berlokasi di Purdue Research Park, West Lafayette, dijadwalkan memulai operasi ruang bersih pada paruh kedua tahun 2028.
Ruang bersih adalah area manufaktur yang sangat terkontrol untuk mencegah kontaminasi debu dan partikel mikroskopis lainnya selama proses pembuatan chip.
Di lokasi tersebut akan dibangun lini pengemasan HBM generasi terbaru serta fasilitas penelitian dan pengembangan semikonduktor AI.
Kwak menegaskan bahwa SK Hynix bertujuan membangun rantai pasokan memori canggih di Amerika Serikat.
HBM adalah chip memori khusus yang menyusun chip secara vertikal untuk mempercepat pemrosesan data dengan konsumsi daya lebih rendah.
>>> Lebih dari 100 Organisasi Desak Respons Global terhadap Ancaman Siber AI
Teknologi ini sangat cocok untuk kebutuhan komputasi AI yang sangat besar.
Berbeda dengan produk memori konvensional, chip HBM terintegrasi erat dengan prosesor AI, sehingga menciptakan hambatan masuk yang lebih tinggi dan memberi pemasok daya tawar harga yang lebih besar.